中國通信設(shè)備巨頭華為提出了一種適用于 3D-DRAM 構(gòu)建的垂直通道全能(channel-all-around，CAA)晶體管。

　　據(jù) eeNews 報道，該提案被包含在一篇論文中，將在 2022 年 IEEE 超大規(guī)模集成電路技術(shù)和電路研討會上提交，該研討會定于 6 月 12 日至 17 日在夏威夷檀香山舉行。

　　該器件是一種銦鎵氧化鋅(IGZO)場效應(yīng)晶體管(FET)，其 IGZO、高 k 電介質(zhì)氧化鉿和 IZO 層圍繞一個垂直柱排列。IGZO 厚度約為 3nm。HfOx 和 IZO 的厚度約為 8nm。垂直方向的通道長度為 55nm，平面內(nèi)的臨界尺寸為 50nm。

　　該晶體管在 Vth+1V 時達(dá)到 32.8microamps / micron 的電流密度，亞閾值擺幅為 92mV / decade。

　　作者聲稱，在-40 攝氏度到 + 120 攝氏度之間，該晶體管具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，有望成為未來超越 1-alpha 節(jié)點(diǎn)的高性能 3D-DRAM 的候選產(chǎn)品。