隨著3D NAND的堆疊層數越來越多，廠家門也在著手研究新的生產技術以改進效率，SK海力士就在評估東京電子最新的低溫蝕刻設備，該設備可以在-70℃的低溫下運行，用來生成400層以上堆疊的新型3D NAND。低溫蝕刻設備的鉆孔速度是傳統工具的三倍，對多層數的3D NAND非常有用。

　　根據thelec的消息，SK海力士正在把測試晶圓發送到東京電子的實驗室，而不直接進口設備，很明顯是在評估新設備的能力。當前的蝕刻工藝是在0℃到30℃的溫度范圍內工作的，而東京電子的蝕刻設備在-70℃低溫下運行，這形成了鮮明的對比，根據他們的論文數據，新的蝕刻機可以在33分鐘內進行10微米深的高深度比蝕刻，比現有工具快三倍以上，這一成果是一項重大的技術進步，而且大大提升了3D NAND的生產效率。

　　SK海力士現在的321層3D NAND據說采用了三重堆棧結構，采用東京電子的新設備后可能以單堆棧或雙堆棧的方式構建400層的3D NAND，生產效率明顯提高，當然這能否成功還得看設備的可靠性以及性能一致性。

　　此外SK海力士考慮應用低溫蝕刻設備的另一個原因是減少碳排放，現有的蝕刻工藝中，使用的是具有較高全球變暖潛能值(GWP)的碳氟化合氣體，如四氟化碳和八氟丙烷，其GWP分別為6030和9540，但東京電子新一代蝕刻設備使用的是GWP小與1的氟化氫氣體，這將大幅減少溫室氣體的排放。

　　同時三星也在驗證這一新技術，與SK海力士不同的是，三星是直接引進東京電子的新設備進行測試。