美光科技近日宣布，已向生態系統合作伙伴及部分客戶提供基于1γ節點的第六代(10nm級)DRAM節點DDR5內存樣品。
據悉，這款16Gb DDR5內存的速度可達9200MT/s，較上一代提升15%，能夠滿足數據中心及端側AI設備對高性能計算的迫切需求。
在技術層面，美光的1γ節點采用了新一代高K金屬柵極CMOS技術，結合設計優化，功耗降低超20%，并顯著改善了熱管理性能。
此外，通過極紫外光刻(EUV)與工藝創新，新一代內存的比特密度提升超30%，進一步提升了內存供應效率。
此次推出的DDR5內存樣品不僅在性能上實現了突破，還在能效和密度方面展現出顯著優勢，為未來高性能計算和AI應用提供了有力支持。
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