據(jù)媒體報道，三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門副董事長全永鉉宣布，三星將于今年下半年采用第六代“1c DRAM”工藝，開始量產(chǎn)下一代LPDDR6內(nèi)存，并計劃向高通等科技巨頭供貨。

　　面對中國存儲廠商長鑫存儲(CXMT)已完成LPDDR5X內(nèi)存開發(fā)并積極追趕的態(tài)勢，三星明顯加快了LPDDR6的自主研發(fā)步伐。業(yè)內(nèi)觀察認(rèn)為，長鑫存儲有望在2026年左右實現(xiàn)其產(chǎn)品的全面量產(chǎn)。

　　1c DRAM作為DRAM制造的第六代工藝節(jié)點，相比前代實現(xiàn)了更高的晶體管密度和更優(yōu)的能效比。三星通過“設(shè)計變更”策略顯著提升了1c DRAM的良品率(冷態(tài)達50%，熱態(tài)達60%-70%)，并計劃在韓國華城工廠建設(shè)新產(chǎn)線擴大產(chǎn)能。

　　基于此工藝開發(fā)的LPDDR6內(nèi)存，在帶寬和功耗表現(xiàn)上均有顯著提升，能夠滿足AI模型訓(xùn)練、移動終端高性能計算等對內(nèi)存性能的嚴(yán)苛需求。

　　行業(yè)消息顯示，高通的下一代旗艦芯片“驍龍8 Elite Gen2”將首發(fā)支持LPDDR6內(nèi)存，并計劃于今年的驍龍峰會上正式亮相。隨著AI應(yīng)用向終端設(shè)備下沉，LPDDR6的高帶寬與高能效成為關(guān)鍵競爭力。

　　三星計劃通過向高通等廠商供貨，深化在智能手機、筆記本電腦及AI服務(wù)器市場的滲透，鞏固其技術(shù)壁壘。此外，三星也將在HBM4等高端存儲產(chǎn)品中部署1c DRAM技術(shù)，構(gòu)建覆蓋AI全場景的內(nèi)存解決方案。

　　為支持LPDDR6及1c DRAM的量產(chǎn)，三星正積極推進華城工廠新生產(chǎn)線的建設(shè)，預(yù)計最早于今年年底完成。值得注意的是，三星打破了傳統(tǒng)的開發(fā)順序，正同步開發(fā)面向DDR(服務(wù)器/PC)和LPDDR(移動/低功耗)應(yīng)用的1c DRAM產(chǎn)品，以加速其商業(yè)化進程。