據Semiecosystem博客報道，KeyBanc Capital Markets分析師John Vinh最新報告指出，三大半導體巨頭的2nm工藝良率呈現差異化競爭態勢。目前臺積電N2良率約為65%，英特爾18A工藝達到55%，三星SF2則為40%。
值得關注的是，英特爾18A工藝良率較上季度提升5個百分點，這一進展將助推其Panther Lake處理器如期上市。分析認為，英特爾代工業務有望在2nm量產階段實現65-70%的良率，超越三星但仍落后于臺積電預計的75%良率水平。
報告同時透露，英特爾計劃在2026年下半年量產18A-P改進版工藝。若關鍵績效指標達成，將顯著提升市場對英特爾代工業務的信心。分析師強調，在下一代14A工藝2027年底量產前，英特爾不會放棄18A-P節點的對外代工業務。
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