據(jù)TrendForce報道，經(jīng)過了一年半的努力，三星去年2月開發(fā)的12層堆疊HBM3E終于通過了英偉達的質(zhì)量測試，縮小了與SK海力士之間的差距。有業(yè)內(nèi)人士稱，這一成就反映了三星對現(xiàn)有HBM3E產(chǎn)品的性能提升，以及英偉達推動供應(yīng)商多元化的努力。
不過也有消息稱，三星只是完成了第二輪內(nèi)部晶圓驗收測試(WAT)，整個工作還沒有完成，尚未獲得英偉達的正式批準。三星今年主要解決了HBM3E的發(fā)熱問題，主要得益于去年5月開始的更新設(shè)計工作，基于1αnm(第四代10nm級別)工藝打造的DRAM芯片。
本月早些時候，SK海力士宣布已率先完成HBM4的開發(fā)工作，并在全球首次構(gòu)建了量產(chǎn)體系。三星則是在今年第二季度生產(chǎn)出HBM4樣品，通過了英偉達初步的質(zhì)量測試，還要等待最后的驗證步驟。
近期傳出英偉達要求供應(yīng)商盡快將HBM4的速度從8Gb/s提高到10Gb/s，以便更好地應(yīng)對AMD明年的Instinct MI450計算卡及“Helios”AI機架系統(tǒng)帶來的威脅。得益于4nm工藝制造基礎(chǔ)裸片，加上以1cnm(第六代10nm級別)工藝制造DRAM芯片，優(yōu)于SK海力士的1β (b) nm(第五代10nm級別)工藝，三星的HBM4可以更好地滿足英偉達的要求。
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