受北京市科委邀請(qǐng)，第十三屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2016)將移師北京，于2016年11月15日至17日在北京國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。并將與2016中國(guó)(北京)跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體國(guó)際論壇同期同地(以下簡(jiǎn)稱“跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)”)舉行，交相輝映。

　　此次跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)，由中國(guó)科技部與北京市人民政府主辦，從2011年創(chuàng)辦至今，已連續(xù)舉辦五屆，已成功打造中國(guó)國(guó)際創(chuàng)新合作第一會(huì)議平臺(tái)，助力北京建設(shè)全國(guó)科技創(chuàng)新中心與國(guó)際交往中心。今年的跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)將覆蓋眾多科技、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新熱點(diǎn)領(lǐng)域，吸引更多在跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移合作實(shí)踐之中具有互補(bǔ)性的國(guó)家和地區(qū)參與。

　　其中，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率、高抗輻射能力等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國(guó)防等發(fā)展的重點(diǎn)新材料，正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。

　　本屆跨國(guó)技術(shù)轉(zhuǎn)移大會(huì)，將從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)、應(yīng)用等全鏈條策劃，通過(guò)高峰論壇、專題研討、應(yīng)用峰會(huì)、合作論壇和創(chuàng)新大賽等多種形式，圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用設(shè)置，包括碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)、第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件等多個(gè)專場(chǎng)重點(diǎn)討論。

　　目前碳化硅電力電子器件技術(shù)專場(chǎng)分會(huì)，陣型已漸露陣容，大腕云集，看點(diǎn)十足。為了360度全方位保證分會(huì)的高水準(zhǔn)，分會(huì)采用召集人+主席+分會(huì)團(tuán)的模式，兼顧產(chǎn)學(xué)研，每一環(huán)節(jié)都有超強(qiáng)專家的鼎力支持。

　　分會(huì)召集人由全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院黨組書(shū)記、副院長(zhǎng)，輸配電及節(jié)電技術(shù)國(guó)家工程研究中心主任邱宇峰和浙江大學(xué)教授，教育部長(zhǎng)江學(xué)者，特聘教授，博士生導(dǎo)師盛況共同擔(dān)任。

　　邱宇峰曾擔(dān)任電力行業(yè)電能質(zhì)量及柔性輸電標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)主任。主要從事柔性輸電、高壓直流輸電和電力系統(tǒng)繼電保護(hù)等領(lǐng)域的研發(fā)工作。是中國(guó)大功率電力電子技術(shù)的主要開(kāi)創(chuàng)者之一。主持完成了國(guó)家973、863項(xiàng)目等多項(xiàng)研究，完成了中國(guó)第一臺(tái)用于輸電系統(tǒng)的靜止無(wú)功補(bǔ)償器、世界首臺(tái)1000kV串聯(lián)補(bǔ)償裝置、800kV特高壓直流換流閥及世界首個(gè)200kV直流斷路器等技術(shù)研發(fā)與工程應(yīng)用，為特高壓電網(wǎng)及智能電網(wǎng)在中國(guó)的建設(shè)和發(fā)展做出了積極貢獻(xiàn)。

　　盛況主要從事電力電子器件及電力電子集成電路領(lǐng)域的研究，主持國(guó)家863項(xiàng)目、國(guó)家科技重大專項(xiàng)項(xiàng)目、國(guó)家自然基金項(xiàng)目，以及其他省部級(jí)項(xiàng)目等近10項(xiàng)。2002-2009在美國(guó)Rutegers大學(xué)(即新澤西州大學(xué))任教;2009年被評(píng)為教育部長(zhǎng)江學(xué)者，擔(dān)任浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院特聘教授。2010年入選浙江省千人計(jì)劃;2012年入選“十二五”863計(jì)劃先進(jìn)能源技術(shù)領(lǐng)域新型電力電子關(guān)鍵技術(shù)主題專家;任電力電子領(lǐng)域權(quán)威期刊IEEE Transactions on Power Electronic和IEEE Transactions on Industry Applications副主編。

　　倫斯勒理工大學(xué)教授周達(dá)成受邀擔(dān)任本次分會(huì)外方主席，周達(dá)成1977年至1989年，就職于美國(guó)通用電氣公司位于紐約州斯克內(nèi)克塔迪市的研發(fā)中心。1989年開(kāi)始他在倫斯勒理工學(xué)院電氣、系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)工程系工作。期間，獲得1982年度電化學(xué)學(xué)會(huì)的固態(tài)科學(xué)技術(shù)青年作者獎(jiǎng)，并在1986年被奧古斯塔納學(xué)院授予地平線獎(jiǎng)。至今已發(fā)表過(guò)70篇科學(xué)期刊論文，過(guò)百的大會(huì)演講，給四本技術(shù)型教科書(shū)寫(xiě)過(guò)章節(jié)，并擁有超過(guò)10個(gè)專利。他同時(shí)也是IEEE的資深會(huì)士。目前其研究重點(diǎn)包括：發(fā)展新器件概念;高壓電力設(shè)備和集成電路模型;研究硅和寬禁帶化合物半導(dǎo)體;超大規(guī)模集成化金屬一體化工藝。

　　本次分會(huì)委員團(tuán)隊(duì)同樣星光熠熠，力邀多位國(guó)內(nèi)外的權(quán)威專家共同坐鎮(zhèn)。分會(huì)成員張安平，西安交通大學(xué)電信學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師，"千人計(jì)劃"國(guó)家特聘專家，IEEE高級(jí)會(huì)員，曾任美國(guó)EMCORE公司研究工程師，美國(guó)通用電氣公司研究中心資深科學(xué)家和項(xiàng)目負(fù)責(zé)人。

　　分會(huì)成員張玉明，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授、院長(zhǎng)，主要從事高性能半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研究工作，包括(1)高溫高頻大功率寬禁帶半導(dǎo)體器件和材料(SiC);(2)模擬(射頻)集成電路設(shè)計(jì);(3)自旋電子學(xué);(4)半導(dǎo)體器件模型和模擬;(5)半導(dǎo)體器件抗輻照加固技術(shù)等。他同時(shí)是國(guó)防科技重點(diǎn)學(xué)科“寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)”重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任，全國(guó)重點(diǎn)學(xué)科微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士導(dǎo)師，國(guó)際IEEE學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員，IEEE-ED陜西分會(huì)主席。

　　分會(huì)成員徐現(xiàn)剛，山東大學(xué)教授，師從于蔣民華院士。教育部長(zhǎng)江計(jì)劃的特聘教授， 973首席科學(xué)家。主要從事半導(dǎo)體材料制備及其應(yīng)用研究的工作。 自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導(dǎo)體薄膜材料的生長(zhǎng)及器件應(yīng)用工作，制備出多種量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，應(yīng)用到多種半導(dǎo)體器件如：半導(dǎo)體激光器、發(fā)光二極管等。自2000年開(kāi)始SiC單晶生長(zhǎng)和加工工作，先后突破了2~6英寸SiC單晶的生長(zhǎng)與襯底加工技術(shù)，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，制備出基于SiC襯底的GaN超高亮度發(fā)光二極管。先后承擔(dān)了多項(xiàng)863、973、國(guó)家重大專項(xiàng)等課題。獲得多項(xiàng)表彰和獎(jiǎng)勵(lì)，如1995年洪堡學(xué)者，1999年在美國(guó)獲得由IEEE頒發(fā)的Best Paper Award，2000年獲得“國(guó)家杰出青年基金”，2003年“山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)”、“山東省留學(xué)回國(guó)創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)”，2005年獲“山東省十大杰出青年”，2007年獲“政府特殊津貼獎(jiǎng)”，2013年獲得“山東省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)”等。至今已發(fā)表超過(guò)150篇相關(guān)論文及會(huì)議報(bào)告。

　　分會(huì)委員柏松，寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員。他一直致力于SiC器件的研發(fā)，在國(guó)內(nèi)首先實(shí)現(xiàn)了擊穿電壓超過(guò)10kV的SiC肖特基二極管和SiCPiN二極管，在高壓SiC JFET和SiC MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)方面也取得了重要成果。負(fù)責(zé)承擔(dān)和完成多項(xiàng)國(guó)家科技重大專項(xiàng)、高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃等重大科研項(xiàng)目，申請(qǐng)發(fā)明專利17項(xiàng)，其中授權(quán)8項(xiàng)，曾獲國(guó)防科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)一項(xiàng)。

　　分會(huì)委員于坤山，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)、北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司副總裁、教授級(jí)高級(jí)工程師。于坤山長(zhǎng)期從事電力電子，微電子，電能質(zhì)量等領(lǐng)域技術(shù)研究、產(chǎn)品研發(fā)、工程應(yīng)用、標(biāo)準(zhǔn)化等工作。在電力系統(tǒng)電能質(zhì)量、定制電力、FACTS等方面取得了有影響力的成果。目前主要從事第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)及其系統(tǒng)解決方案、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、標(biāo)準(zhǔn)化和平臺(tái)技術(shù)研究，探索第三代半導(dǎo)體技術(shù)與能源互聯(lián)網(wǎng)建設(shè)相結(jié)合的途徑。

　　國(guó)內(nèi)外的精英們齊聚一堂，高質(zhì)量的精彩報(bào)告當(dāng)然是少不了的，分會(huì)外方主席倫斯勒理工大學(xué)教授周達(dá)成，分會(huì)成員、西安交通大學(xué)電信學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師，"千人計(jì)劃"國(guó)家特聘專家張安平，分會(huì)成員、山東大學(xué)教授徐現(xiàn)剛，分會(huì)召集人、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院黨組書(shū)記、副院長(zhǎng)、輸配電及節(jié)電技術(shù)國(guó)家工程研究中心主任、教授級(jí)高工邱宇峰和分會(huì)召集分、浙江大學(xué)教授、教育部長(zhǎng)江學(xué)者、特聘教授、博士生導(dǎo)師盛況等都將做精彩特邀報(bào)告，分享關(guān)于碳化硅器件的最新研究進(jìn)展。

　　澳大利亞格里菲斯大學(xué)微電子工程學(xué)院教授，兼昆士蘭微型和納米技術(shù)中心副主任Sima Dimitrijev也將帶來(lái)“后硅時(shí)代”的電力電子器件的特邀分享。Sima Dimitrijev曾先后就職于尼什的電子業(yè)半導(dǎo)體工廠、尼什大學(xué)的電子工程學(xué)院、澳大利亞格里菲斯大學(xué)。他是IEEE的資深會(huì)士，同時(shí)還是Pergamon-Elsevier出版的雜志《Microelectronics Reliability》的編輯顧問(wèn)委員會(huì)會(huì)員。同時(shí)他還參與了工業(yè)聯(lián)盟計(jì)劃。目前他的研究重點(diǎn)是碳化硅電子，特別是碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體器件。

　　名古屋大學(xué)教授宇治原徹也將做特邀報(bào)告，宇治原徹目前是名古屋大學(xué)未來(lái)電氣可持續(xù)材料及系統(tǒng)研究所教授。其專業(yè)領(lǐng)域包括晶體生長(zhǎng)、溶液生長(zhǎng)、汽相生長(zhǎng)、碳化硅、功率器件、太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體光電、旋轉(zhuǎn)觀察、生物設(shè)備、半導(dǎo)體質(zhì)膜混合器件和脂質(zhì)二重層。研究領(lǐng)域包括應(yīng)用材料科學(xué)、晶體工程、電子材料、電氣材料和金屬的物理性質(zhì)。

　　韓國(guó)東義大學(xué)先進(jìn)材料工程系教授、電子陶瓷研究中心(ECC)副主任Won-Jae LEE也將做關(guān)于碳化硅電力電子器件最新研究的特邀報(bào)告，Won-Jae LEE一直專注SiC等材料的研究，曾先后在各國(guó)際期刊上發(fā)表約180篇論文，注冊(cè)有50個(gè)專利(包括5個(gè)美國(guó)專利)。

　　廣西大學(xué)教授馮哲川也將分享其最新研究成果，馮哲川從事第三代半導(dǎo)體研發(fā)超過(guò)二十年，包括碳化硅和III族氮化物的研究, 至今編輯出版了半導(dǎo)體及顯微結(jié)構(gòu)，多孔硅，碳化硅,III族氮化物，氧化鋅及奈米工程領(lǐng)域多本英文專書(shū)，發(fā)表過(guò)600多篇學(xué)術(shù)論文(超過(guò)250篇SCI收錄)引用超3500次。

　　作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅因其出色的物理及電特性，正越來(lái)越受到產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。超強(qiáng)的陣容組合，加上高質(zhì)量的內(nèi)容，本次分會(huì)將全方位呈現(xiàn)當(dāng)前碳化硅電力電子器件的研究進(jìn)展，技術(shù)進(jìn)展如何?有哪些趨勢(shì)?……相信你想知道的，都會(huì)有答案。11月15日，我們北京見(jiàn)!