1月12日消息，根據外媒 techspot 報道，本月早些時候，英國蘭開斯特大學物理與工程系的研究人員發表了一篇論文，詳細介紹了 UltraRAM“超高效存儲”技術近期取得的重要進展。

　　這項技術的目標是將非易失閃存 NAND、易失性內存 RAM 結合在一起，兼顧能效，具有極高的耐用性。此前，英特爾 Optane 傲騰已經做出了先行嘗試，量產了傲騰內存產品，但是仍不足以完全替代 RAM。與此同時，三星也有 Z-NAND 技術，鎧俠和西部數據也希望將 XL-FLASH 存儲應用到消費級或企業級存儲產品中。

　　具體來看，UltraRAM 芯片的制造工藝，與 LED、激光器、光電晶體管等半導體元件相似。從結構上看，這種存儲技術采用硅襯底，相比砷化鎵成本大幅降低。芯片具有復雜的多層結構，中央的結構還使用了氧化鋁進行隔離。

　　科學家表示，UltraRAM 的制造成本比較低，其擁有很高的性價比。目前已經制造出的測試用原型，可以保證數據能夠保存 1000 年，擦寫次數可以超過 1000 萬，幾乎不需要考慮耐久性。如果這種存儲芯片能夠實現比肩傳統 RAM 的速度的話，將會對行業產生重大影響。

　　制造過程圖解：

　　UltraRAM 使用“共振隧穿”量子力學效應，在施加電壓后，允許勢壘從不透明轉為透明。與 RAM 和 NAND 閃存使用的寫入技術相比，UltraRAM 的寫入過程非常節能，因此有助于提高移動設備的續航時間。

　　蘭開斯特大學的研究人員表示，他們需要進一步改進存儲單元的制造工藝，提高存儲密度。這項技術有很大的潛力，可以消除傳統計算機與專用內存進行數據傳輸的過程。