目前DRAM在提升密度上已經(jīng)遇到縮放困難的問(wèn)題，預(yù)計(jì)可能在五年之內(nèi)就無(wú)法通過(guò)現(xiàn)有的路線(xiàn)繼續(xù)提升密度了。而據(jù)半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)企業(yè)Lam Research最近發(fā)布了一份關(guān)于DRAM的發(fā)展建議來(lái)看，未來(lái)可能屬于3D DRAM，也就是將堆疊結(jié)構(gòu)引入DRAM領(lǐng)域。該文章表示，大概還需要5到8年的時(shí)間，才能設(shè)計(jì)出可制造的3D DRAM設(shè)備，從2D DRAM擴(kuò)展結(jié)束到3D DRAM擴(kuò)展開(kāi)始之間可能有3年的時(shí)間差。

　　3D DRAM設(shè)計(jì)中，重點(diǎn)是解決縮放和多層堆疊的難題，另外還有電容器和晶體管縮小，以及單元間連接和通孔陣列，最后還有制定相應(yīng)的工藝要求。新的DRAM單元設(shè)計(jì)方式不是簡(jiǎn)單地將2D DRAM組件放在一側(cè)，然后再將其堆疊在一起，加上工藝上的約束和要求，就是一項(xiàng)說(shuō)起來(lái)容易做起來(lái)困難的工作。重新設(shè)計(jì)的DRAM架構(gòu)可以層層疊疊，過(guò)程與NAND閃存類(lèi)似，其中還會(huì)應(yīng)用一些先進(jìn)的晶體管制造技術(shù)，比如GAA設(shè)計(jì)。

　　據(jù)了解，第一代3D DRAM設(shè)計(jì)最多只能利用28層堆疊，隨著架構(gòu)的改進(jìn)和額外的分層，DRAM密度可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)節(jié)點(diǎn)的跳躍改進(jìn)。該技術(shù)遇到的另外一個(gè)問(wèn)題是，現(xiàn)階段沒(méi)有生產(chǎn)工具可以可靠地制造3D DRAM所需的這些特征，需要對(duì)DRAM的生產(chǎn)工具進(jìn)行改進(jìn)甚至重新設(shè)計(jì)，這是一個(gè)必然的過(guò)程。

　　此前的報(bào)道表明，三星和SK海力士都將3D DRAM作為克服DRAM物理極限的一種方式。在三星看來(lái)，3D DRAM是半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)的增長(zhǎng)動(dòng)力，而SK海力士則認(rèn)為，明年關(guān)于3D DRAM的電氣特性細(xì)節(jié)將被公開(kāi)，從而決定其發(fā)展方向。