1月17日消息，蘋果的升級越來越看不懂了，iPhone 16系列要用速度更慢的QLC閃存。

　　據(jù)供應(yīng)鏈最新消息，蘋果可能會改變存儲容量，不再使用三層單元(TLC)NAND 閃存，而是在存儲容量達(dá)到或超過1TB的機(jī)型上使用四層單元(QLC)NAND閃存。

　　與TLC相比，QLC的優(yōu)勢在于每個存儲單元可以存儲四位數(shù)據(jù)，在使用相同數(shù)量的單元時比TLC儲存更多的數(shù)據(jù)，或者使用更少的單元儲存更多的數(shù)據(jù)，而這可以降低生產(chǎn)成本。

　　此外，QLC閃存被認(rèn)為不如TLC閃存可靠，寫入數(shù)據(jù)的耐久性會降低，因?yàn)槊總�單元寫入的次數(shù)更多，因?yàn)槊總�單元多包含一個位。

　　QLC NAND閃存可以存儲16種不同的電荷電平，而TLC僅能存儲8種電荷電平。讀取數(shù)據(jù)時，由于電荷量增加，裕量減少，這就有可能因噪聲增加而導(dǎo)致位錯誤增加。

　　如果蘋果繼續(xù)執(zhí)行這一計劃，一些版本的iPhone 16 用戶可能會遇到數(shù)據(jù)寫入速度低于低容量用戶的情況。