三星電子計劃利用其尖端的4nm代工工藝量產下一代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM4，這是驅動人工智能(AI)設備的核心芯片，以對抗該領域的更大競爭對手SK海力士和臺積電。

　　業內消息人士表示，三星將利用4nm代工工藝制造第六代HBM4的邏輯芯片。邏輯芯片位于芯片堆棧的底部，是控制DRAM的HBM芯片的核心組件。

　　存儲芯片制造商已經為HBM3E等現有產品制造邏輯芯片，但第六代型號需要經過代工工藝，因為它配備了客戶所需的定制功能。

　　4nm是三星標志性的芯片代工工藝，良率超過70%。三星電子將該工藝用于Exynos 2400芯片，這是其旗艦AI智能手機Galaxy S24系列的驅動核心之一。

　　業內人士表示：“4nm成本比7nm和8nm高得多，但在芯片性能和功耗方面卻明顯優于它們。三星以10nm工藝制造HBM3E，并希望通過應用4nm工藝在HBM領域占據王位。”

　　三星電子原本預計將使用7nm或8nm代工工藝生產HBM4邏輯芯片。據了解，三星自2019年起開始量產7nm工藝。

　　三星借助4nm工藝與SK海力士和臺積電展開競爭，這兩家公司聯手加強在快速增長的AI芯片市場的地位。

　　英偉達控制著AI計算任務核心圖形處理單元(GPU)80%以上的市場。三星決定利用其存儲業務和代工部門合作設計和制造代工和HBM芯片的能力，來應對英偉達兩大供應商的合作伙伴關系。

　　自2023年開始應用的4nm工藝需要復雜的技術和比舊工藝多一倍的資源，但它可以制造高性能、低功耗的芯片。三星的目標是開發配備高性能邏輯芯片的HBM4芯片，并擊敗競爭對手。

　　英偉達和AMD等客戶已要求供應商開發能夠以低功耗快速處理大量數據的HBM芯片。這就是AI加速器，它是一種高性能并行計算機，專門設計用于高效處理耗電量很大的AI工作負載(如神經網絡)。

　　三星預計4nm代工工藝將促進此類HBM芯片的生產并在行業中占據主導地位。該公司計劃從邏輯芯片的設計階段開始尋求優化，以通過其無晶圓廠系統LSI部門最大限度地提高HBM4芯片的性能。

　　“與臺積電等不同，讓芯片設計師參與HBM4生產是我們的獨特優勢。”三星一位高管表示。據業內人士透露，三星已將系統LSI部門的員工派往最近成立的HBM開發團隊。

　　臺積電等已采取措施應對三星計劃，將在原計劃12nm工藝之外，增加5nm工藝來制造HBM4邏輯芯片。兩家公司還增加了人才庫，以提高HBM4性能，比如聘請經驗豐富的邏輯設計工程師。

　　【來源：集微網】