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制程反超三星，消息稱 SK 海力士將為定制 HBM4 內(nèi)存導(dǎo)入 3nm 基礎(chǔ)裸片

2024年12月04日 15:00:52 來(lái)源：IT之家

　　12 月 4 日消息，據(jù)兩家韓國(guó)姊妹媒體 hankyung、KED Global 近兩日?qǐng)?bào)道，SK 海力士將為定制 HBM4 內(nèi)存導(dǎo)入更為先進(jìn)的臺(tái)積電 3nm 工藝基礎(chǔ)裸片，以響應(yīng)英偉達(dá)等美國(guó)大型科技企業(yè)的需求。

　　隨著 HBM 內(nèi)存的演進(jìn)，基礎(chǔ)裸片(IT之家注：即 Base Die、Logic Die、Interface Die)承擔(dān)的工作也愈發(fā)復(fù)雜，到 HBM4 世代基礎(chǔ)裸片將全面轉(zhuǎn)向邏輯半導(dǎo)體工藝并支持客戶定制電路，以提升 AI 半導(dǎo)體運(yùn)行效率。

　　SK 海力士的 HBM4 基礎(chǔ)裸片將由臺(tái)積電代工，此前臺(tái)積電就已展示過(guò) N12FFC+ 制程“性價(jià)比”款和 N5 制程“高性能”款設(shè)計(jì)，而 3nm 版本有望進(jìn)一步提升 20%~30% 性能。

　　▲ SK 海力士的 HBM 芯片，此面為底面即靠近基礎(chǔ)裸片的表面

　　據(jù)悉，SK 海力士的標(biāo)準(zhǔn)款 HBM4 仍將采用 N12FFC+ 基礎(chǔ)裸片，而定制產(chǎn)品則將從此前考慮的 5nm 升級(jí)至 3nm。另外一方面，三星電子的 HBM4 基礎(chǔ)裸片將導(dǎo)入 4nm 制程。

　　SK 海力士此前曾表示將于 2025 下半年推出首批 HBM4 產(chǎn)品，三星電子的時(shí)間表也大致相當(dāng)。

　　文章內(nèi)容僅供閱讀，不構(gòu)成投資建議，請(qǐng)謹(jǐn)慎對(duì)待。投資者據(jù)此操作，風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)。

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