據(jù)臺(tái)媒 digitimes 今日消息，SK 海力士預(yù)計(jì)將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) Blackwell Ultra 架構(gòu)芯片第五代 12 層 HBM3E，預(yù)期與三星電子、美光的差距將進(jìn)一步拉大。

　　SK 海力士于去年 9 月全球率先開(kāi)始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片，實(shí)現(xiàn)了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E 的運(yùn)行速度可達(dá) 9.6Gbps，在搭載四個(gè) HBM 的 GPU 上運(yùn)行‘Llama 3 70B’大語(yǔ)言模型時(shí)每秒可讀取 35 次 700 億個(gè)整體參數(shù)的水平。

　　去年 11 月，SK 集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源表示，英偉達(dá) CEO 黃仁勛要求 SK 海力士提前六個(gè)月供應(yīng)被稱為 HBM4 的下一代高帶寬內(nèi)存芯片。

　　SK 海力士計(jì)劃在 2025 年下半年推出采用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 產(chǎn)品，而 16 層堆疊 HBM 稍晚于 2026 年推出。

　　彭博社知情人士今年 2 月透露，三星電子公司已獲得批準(zhǔn)向英偉達(dá)供應(yīng)其高帶寬存儲(chǔ)芯片 8 層 HBM3E。雖然該批準(zhǔn)標(biāo)志著三星向前邁進(jìn)了一步，但它在高帶寬內(nèi)存(HBM)技術(shù)方面仍然落后于 SK 海力士和美光科技等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

　　而美光方面，美光執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官 Mark Murphy 今年 2 月透露，該公司的 12 層堆疊 HBM 內(nèi)存產(chǎn)品(12Hi HBM3E)即將放量。