日本最大的半導(dǎo)體晶圓企業(yè)信越化學(xué)工業(yè)和從事 ATM 及通信設(shè)備的 OKI 公司日前宣布，其開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體材料的技術(shù)。
據(jù)介紹，該技術(shù)可將制造成本降至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。如果能夠量產(chǎn)，將有利于普及快速充電器等設(shè)備。
IT之家從官方新聞稿獲悉，信越化學(xué)工業(yè)和 OKI 開發(fā)的新技術(shù)可以在特有的 QST 基板上噴鎵系氣體，使晶體生長。信越化學(xué)工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與 OKI 的接合技術(shù)相結(jié)合，從基板上只揭下晶體。晶體放在其他基板上作為功率半導(dǎo)體的晶圓使用。
信越化學(xué)工業(yè)表示，在 GaN 基板上使 GaN 晶體生長的制法不僅制造耗費時間，成品率還很差，成本高。新制法可以高效制造晶體，可以降低 9 成成本。與在矽基板上使 GaN 晶體生長的制法相比，不需要基板與晶體之間的絕緣層。加上晶體的厚膜化，可以通 20 倍大的電流。
信越化學(xué)工業(yè)透露，這一技術(shù)可以制造 6 英寸晶圓，希望在 2025 年增大到 8 英寸，今后還考慮向半導(dǎo)體廠商銷售技術(shù)等業(yè)務(wù)模式。
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