11 月 1 日消息，根據 DigiTimes 報道，Samsung Foundry 副總裁 Jeong Gi-Tae 透露，三星即將推出 SF1.4(1.4 nm)工藝中，納米片(nanosheets)的數量從 3 個增加到 4 個，有望明顯改善性能和功耗。

　　三星正在尋求擴大其在 Gate-All-Around (GAA) 平臺方面的領先地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，計劃 2027 年上線 SF1.4(1.4nm)工藝，通過增加納米片數量進一步改善工藝。

　　每個晶體管增加納米片數量，可以增強驅動電流，從而提高性能，更多的納米片允許更多的電流流過晶體管，從而增強其開關能力和運行速度。

　　此外，更多的納米片可以更好地控制電流，這有助于減少漏電流，從而降低功耗。此外，改進的電流控制還意味著晶體管產生的熱量更少，從而提高了功率效率。

　　IT之家此前報道，三星還計劃在 1.4nm 工藝中采用背部供電(BSPDN)技術，旨在更好地挖掘晶圓背面空間的潛力，但至今仍未在全球范圍內實施。

　　雖然目前半導體行業已不再使用柵極長度和金屬半節距來為技術節點進行系統命名，但毫無疑問目前的工藝技術也是數字越小越先進。

　　隨著半導體工藝微縮路線不斷地向前發展，集成電路內電路與電路間的距離也不斷縮窄，從而對彼此產生干擾，而 BSPDN 技術則可以克服這一限制，這是因為我們可以利用晶圓背面來構建供電路線，以分隔電路和電源空間。