5 月 6 日消息，據韓媒 The Elec 和《首爾經濟新聞》報道，SK 海力士在 5 月 2 日舉行的“AI 時代，SK 海力士藍圖和戰略”記者招待會上表示，其 HBM4 內存的量產時間已提前到 2025 年。
具體來說，SK 海力士計劃在 2025 年下半年推出采用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 產品，而 16 層堆疊 HBM 稍晚于 2026 年推出。
SK 海力士上月同臺積電達成 HBM 基礎裸片(Base Die)合作諒解備忘錄，當時定于 2026 年推出 HBM4 內存。
HBM4 量產的加速無疑顯示了 AI 領域巨頭對高性能內存的強勁需求，日益強大的 AI 處理器需要更高內存帶寬的輔助。
The Elec 預計，SK 海力士將在 HBM4 內存中采用 1cnm 制程的新一代 DRAM 內存芯片，目前的 HBM3E 產品基于 1bnm;而在基礎裸片部分，未來產品有望使用臺積電 7nm 系工藝。
SK 海力士在記者會上還表示目前基于 MR-MUF 鍵合的 12 層堆疊 HBM3E 內存將于本月出樣三季度量產，未來 16 層堆疊產品也將采用 MR-RUF，詳情參見IT之家早前報道。
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