據韓媒《朝鮮日報》報道，三星電子與SK海力士正計劃將混合鍵合技術應用于下一代HBM內存——HBM4中。消息顯示，三星有望最早于明年在HBM4中引入該技術，而SK海力士則可能在后續的HBM4E中采用。相比之下，美光等其他廠商或將選擇有凸塊鍵合的迭代版本。

　　混合鍵合技術通過無凸塊設計，不僅能降低HBM內存堆棧的層高，支持更多堆疊層數，還能提升電氣性能，實現更高的傳輸速率。根據半導體設備廠商Besi的年報，16Hi HBM4 (E) 產品預計將在2026年面世，雖較預期推遲一年，但仍標志著行業對高性能內存的持續追求。這一技術突破將進一步推動數據中心、人工智能等領域的發展需求。