三星正在研發(fā)一種名為 LLW DRAM 的新型內(nèi)存，具有低延遲、高帶寬和低功耗特性。該內(nèi)存特別適用于運行大型語言模型的設(shè)備，但其性能優(yōu)勢也適用于各種客戶端工作負(fù)載。

　　LLW DRAM 采用寬 I/O、低延遲特性，帶寬高達(dá) 128 GB/s，且功耗僅為 1.2pJ/bit。外界推測，LLW DRAM 可能借鑒了 GDDR6W 的技術(shù)，采用 Fan-Out 晶圓級封裝(FOWLP)將多個 DRAM 器件集成到一個封裝中。

　　預(yù)計該技術(shù)可用于 AI 邊緣計算設(shè)備、智能手機(jī)、筆記本電腦和汽車領(lǐng)域。雖然三星未透露 LLW DRAM 的上市時間，但從其公開的性能預(yù)期來看，研發(fā)進(jìn)程已接近尾聲。